Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet 2SK3767 - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220SIS — Даташит

Toshiba 2SK3767

Наименование модели: 2SK3767

20 предложений от 19 поставщиков
TRANSISTOR 2 A, 600 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power...
727GS
Весь мир
2SK3767
Toshiba
35 ₽
Триема
Россия
2SK3767
Toshiba
134 ₽
Контест
Россия
2SK3767
281 ₽
ТаймЧипс
Россия
2SK3767(STA4,Q)--
Toshiba
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220SIS

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2SK3767
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)
2SK3767
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.3 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.6S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100A (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 4.5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: TO-220SIS
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 2 А
  • Тип корпуса: TO-220SIS
  • Power Dissipation Pd: 25 Вт
  • Pulse Current Idm: 5 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS

На английском языке: Datasheet 2SK3767 - Toshiba MOSFET, N, 600 V, TO-220SIS

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка