Datasheet 2SK3906(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 20 А 600 В TO3P — Даташит
Наименование модели: 2SK3906(Q)
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, TOSHIBA 2SK3906(Q) Power MOSFET, N Channel, 20A, 600V, 330mohm, 10V, 4V | |||
2SK3906(Q) Toshiba | 1 951 ₽ | ||
2SK3906(Q) Toshiba | по запросу | ||
2SK3906 | по запросу | ||
2SK3906 Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор N CH 20 А 600 В TO3P
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 330 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 20 А
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть