Degson: клеммы, корпуса, источники питания

Datasheet 2SK4003(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 3 А 600 В TO251AA — Даташит

Toshiba 2SK4003(Q)

Наименование модели: 2SK4003(Q)

6 предложений от 6 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 3A PW-MOLD
AiPCBA
Весь мир
2SK4003(Q)
Toshiba
292 ₽
ChipWorker
Весь мир
2SK4003(Q)
Toshiba
294 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
2SK4003
Toshiba
по запросу
2SK4003(Q)
Toshiba
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор N CH 3 А 600 В TO251AA

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 2.2 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: TO-251AA
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 3 А
  • Тип корпуса: PW-MOLD2
  • Power Dissipation Pd: 20 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet 2SK4003(Q) - Toshiba MOSFET N CH 3 A 600 V TO251AA

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России