Datasheet 2SK4003(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 3 А 600 В TO251AA — Даташит
Наименование модели: 2SK4003(Q)
![]() 13 предложений от 12 поставщиков Trans MOSFET N-CH Si 600V 3A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2 | |||
2SK4003(Q) | по запросу | ||
2SK4003(Q) Toshiba | по запросу | ||
2SK4003 Toshiba | по запросу | ||
2SK4003 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор N CH 3 А 600 В TO251AA
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 2.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-251AA
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3 А
- Тип корпуса: PW-MOLD2
- Power Dissipation Pd: 20 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть