Datasheet 2SK4103(TE16L1,NQ) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 5 А, 500 В, DPAK — Даташит

Купить 2SK4103(TE16L1,NQ) на РадиоЛоцман.Цены MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Lixinc Electronics Весь мир	2SK4103(TE16L1NQ) Toshiba	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	2SK4103(TE16L1NQ)	по запросу	Купить
727GS Весь мир	2SK4103(TE16L1NQ) Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 5 А, 500 В, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2SK4103
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOSVI)
2SK4103
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.8S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement model: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 1.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 40 Вт
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 5 А
• Тип корпуса: PW-MOLD
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

2SK4103(TE16L1NQ), 2SK4103(TE16L1 NQ)