Datasheet Texas Instruments CSD16301Q2 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD16301Q2 |
Модель | CSD16301Q2 |

N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 6-WSON от -55 до 150
Datasheets
CSD16301Q2 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 437 Кб, Версия: D, Файл опубликован: 29 ноя 2016
Выписка из документа
Цены
![]() 25 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
CSD16301Q2 Texas Instruments | 29 ₽ | ||
CSD16301Q2 Texas Instruments | 53 ₽ | ||
CSD16301Q2 | по запросу | ||
CSD16301Q2 Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 6 |
Package Type | DQK |
Package QTY | 3000 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | 1631 |
Width (мм) | 2 |
Length (мм) | 2 |
Thickness (мм) | .75 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 20 A |
Корпус | SON2x2 мм |
QG Typ | 2 nC |
QGD Typ | 0.4 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 23 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 29 mOhms |
VDS | 25 В |
VGS | 10 В |
VGSTH Typ | 1.1 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Application Notes
- Intel VR11.1 Server Reference DesignPDF, 38 Кб, Файл опубликован: 21 июл 2010
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor