Datasheet Texas Instruments CSD16322Q5 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16322Q5 |
| Модель | CSD16322Q5 |
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
N-Channel NexFET Power MOSFETs (CSD16322Q5) datasheet
PDF, 234 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 6 май 2010
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16322Q5 на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 113 ₽25 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 97 А, 0.0039 Ом, SON, Surface Mount | |||
| CSD16322Q5 Texas Instruments | 44 ₽ | ||
| CSD16322Q5 Texas Instruments | от 76 ₽ | ||
| CSD16322Q5 Texas Instruments | от 101 ₽ | ||
| CSD16322Q5C | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQH |
| Industry STD Term | VSON-CLIP |
| JEDEC Code | R-PSSO-N |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD16322 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Pitch (мм) | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.05 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 97 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 136 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 6.8 nC |
| QGD Typ | 1.3 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 4.6 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 5.8 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.1 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: TPS40305EVM-488
8-14V Vin, 1.8V Vout Sync Buck Controller Evaluation Module with NexFETВ™ Power MOSFETs
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
