Datasheet Texas Instruments CSD16323Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16323Q3 |
| Модель | CSD16323Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD16323Q3 N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 421 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 29 ноя 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16323Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 442 ₽33 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 60 А, 0.0044 Ом, SON, Surface Mount | |||
| CSD16323Q3 Texas Instruments | от 13 ₽ | ||
| CSD16323Q3 Texas Instruments | 105 ₽ | ||
| CSD16323Q3 Texas Instruments | от 118 ₽ | ||
| CSD16323Q3 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD16323 |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 21 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 112 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 6.2 nC |
| QGD Typ | 1.1 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 4.4 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 5.5 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.1 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
