Datasheet Texas Instruments CSD16325Q5 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16325Q5 |
| Модель | CSD16325Q5 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
N-Channel NexFET, Power MOSFETs datasheet
PDF, 227 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 29 апр 2010
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16325Q5 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 272 ₽34 предложений от 19 поставщиков Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R / MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON | |||
| CSD16325Q5 Texas Instruments | от 75 ₽ | ||
| CSD16325Q5 Texas Instruments | 89 ₽ | ||
| CSD16325Q5 Texas Instruments | от 168 ₽ | ||
| CSD16325Q5C Texas Instruments | 171 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQH |
| Industry STD Term | VSON-CLIP |
| JEDEC Code | R-PSSO-N |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD16325 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Pitch (мм) | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.05 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 200 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 18 nC |
| QGD Typ | 3.5 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.7 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 2.2 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.1 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
