Datasheet Texas Instruments CSD16401Q5 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16401Q5 |
| Модель | CSD16401Q5 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD16401Q5 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 355 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 28 сен 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16401Q5 на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 319 ₽34 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; Idm: 240А; 156Вт | |||
| CSD16401Q5 Texas Instruments | от 32 ₽ | ||
| CSD16401Q5 Texas Instruments | 104 ₽ | ||
| CSD16401Q5 MOSFET N-CH 25V 38A Texas Instruments | 135 ₽ | ||
| CSD16401Q5 | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQH |
| Industry STD Term | VSON-CLIP |
| JEDEC Code | R-PSSO-N |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD16401 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Pitch (мм) | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.05 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 240 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 21 nC |
| QGD Typ | 5.2 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.8 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.6 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 2.3 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 16 В |
| VGSTH Typ | 1.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Intel VR11.1 Server Reference DesignPDF, 38 Кб, Файл опубликован: 21 июл 2010
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD16401Q5 (2)
- CSD16401Q5 CSD16401Q5T
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
