Datasheet Texas Instruments CSD16409Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16409Q3 |
| Модель | CSD16409Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs, CSD16409Q3 datasheet
PDF, 196 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 21 май 2010
Выписка из документа
 Купить CSD16409Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 84 ₽42 предложений от 19 поставщиков MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON. N-Channel 25V 15A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6). Transistors - FETs, MOSFETs... | |||
| CSD16409Q3 Texas Instruments | 34 ₽ | ||
| CSD16409Q3 | 35 ₽ | ||
| CSD16409Q3 Texas Instruments | 64 ₽ | ||
| CSD16409Q3 Texas Instruments | от 76 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD16409 |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 90 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 4 nC |
| QGD Typ | 1 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 9.5 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 8.2 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 12.4 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 16 В |
| VGSTH Typ | 2 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
