Datasheet Texas Instruments CSD16410Q5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16410Q5A |
| Модель | CSD16410Q5A |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSONP от -55 до 150
Datasheets
N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs, CSD16410Q5A datasheet
PDF, 189 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 21 май 2010
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16410Q5A на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 117 ₽26 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
| CSD16410Q5A Texas Instruments | 26 ₽ | ||
| CSD16410Q5A Texas Instruments | от 30 ₽ | ||
| CSD16410Q5A Texas Instruments | 56 ₽ | ||
| CSD16410Q5A Texas Instruments | 57 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD16410 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 59 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 158 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 3.9 nC |
| QGD Typ | 1.1 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 9.6 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 8.5 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 12 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 16 В |
| VGSTH Typ | 1.9 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: TPS40305EVM-488
8-14V Vin, 1.8V Vout Sync Buck Controller Evaluation Module with NexFETВ™ Power MOSFETs
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок) - Evaluation Modules & Boards: TPS40192EVM-525
10A, 12V Input, 1.8V Output Synchronous Buck Converter using the TPS40192 and NexFETВ™ MOSFETs
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок) - Evaluation Modules & Boards: TPS40304EVM-353
8-14V Vin, 1.2V Vout Sync Buck Controller Evaluation Module with NexFETВ™ Power MOSFETs
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
