Datasheet Texas Instruments CSD16411Q3 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD16411Q3 |
Модель | CSD16411Q3 |

N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 542 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 29 ноя 2016
Выписка из документа
Цены
![]() 33 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 56 А, 0.008 Ом, SON, Surface Mount | |||
CSD16411Q3 Texas Instruments | от 9.67 ₽ | ||
CSD16411Q3/2801 Texas Instruments | по запросу | ||
CSD16411Q3 Texas Instruments | по запросу | ||
CSD16411Q3 Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DQG |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | CSD16411 |
Width (мм) | 3.3 |
Length (мм) | 3.3 |
Thickness (мм) | 1 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 56 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 138 A |
Корпус | SON3x3 мм |
QG Typ | 2.9 nC |
QGD Typ | 0.7 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 12 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=10V | 10 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 15 mOhms |
VDS | 25 В |
VGS | 16 В |
VGSTH Typ | 2 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: TPS2592AAEVM-531
TPS2592AA 12-V eFuse Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок) - Evaluation Modules & Boards: TPS2592BLEVM-531
TPS2592BL 12-V eFuse Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor