Datasheet Texas Instruments CSD17306Q5A — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD17306Q5A |
Модель | CSD17306Q5A |

N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 30 В 8-VSONP от -55 до 150
Datasheets
30 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 354 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 20 июл 2010
Выписка из документа
Цены
![]() 29 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 100 А, 0.0029 Ом, SON, Surface Mount | |||
CSD17306Q5A Texas Instruments | 39 ₽ | ||
CSD17306Q5A Texas Instruments | от 47 ₽ | ||
CSD17306Q5A Texas Instruments | 88 ₽ | ||
CSD17306Q5A Texas Instruments | от 180 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DQJ |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | CSD17306 |
Width (мм) | 6 |
Length (мм) | 4.9 |
Thickness (мм) | 1 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 155 A |
Корпус | SON5x6 мм |
QG Typ | 11.8 nC |
QGD Typ | 2.4 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 3.3 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 4.2 mOhms |
VDS | 30 В |
VGS | 10 В |
VGSTH Typ | 1.1 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor