Datasheet SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 20 В, 3.1 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2301CDS-T1-GE3
Купить SI2301CDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.56 до 36 ₽ 47 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 3.1 А, 0.09 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay | 3.56 ₽ | ||
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay | от 3.68 ₽ | ||
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay | 5.20 ₽ | ||
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay | 29 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 20 В, 3.1 А, SOT23
Краткое содержание документа:
Si2301CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.112 at VGS = - 4.5 V 0.142 at VGS = - 2.5 V ID (A)a - 3.1 3.3 nC - 2.7 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On State Resistance: 90 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -3.1 А
- Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2301CDST1GE3, SI2301CDS T1 GE3