ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 20 В, 3.1 А, SOT23 — Даташит

Vishay SI2301CDS-T1-GE3

Наименование модели: SI2301CDS-T1-GE3

47 предложений от 17 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 3.1 А, 0.09 Ом, SOT-23, Surface Mount
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
3.56 ₽
Akcel
Весь мир
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
от 3.68 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
5.20 ₽
ЧипСити
Россия
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay
29 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 20 В, 3.1 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2301CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.112 at VGS = - 4.5 V 0.142 at VGS = - 2.5 V ID (A)a - 3.1 3.3 nC - 2.7 Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On State Resistance: 90 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -3.1 А
  • Power Dissipation Pd: 1.6 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2301CDST1GE3, SI2301CDS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P-CH, 20 V, 3.1 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России