Datasheet SI2305CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 8 В, 5.8 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2305CDS-T1-GE3
Купить SI2305CDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.13 до 33 ₽ 32 предложений от 15 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -4,4А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23 | |||
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay | от 3.13 ₽ | ||
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay | 4.45 ₽ | ||
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 8 В, 5.8 А, SOT23
Краткое содержание документа:
Si2305CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) -8 RDS(on) () 0.035 at VGS = - 4.5 V 0.048 at VGS = - 2.5 V 0.065 at VGS = - 1.8 V ID (A)d - 5.8 - 5.0 - 4.3 12 nC Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -8 В
- On State Resistance: 28 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -5.8 А
- Power Dissipation Pd: 960 мВт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2305CDST1GE3, SI2305CDS T1 GE3