HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI2305CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 8 В, 5.8 А, SOT23 — Даташит

Vishay SI2305CDS-T1-GE3

Наименование модели: SI2305CDS-T1-GE3

33 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -4,4А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay
4.45 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay
6.16 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay
7.88 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay
17 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 8 В, 5.8 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2305CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) -8 RDS(on) () 0.035 at VGS = - 4.5 V 0.048 at VGS = - 2.5 V 0.065 at VGS = - 1.8 V ID (A)d - 5.8 - 5.0 - 4.3 12 nC Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -8 В
  • On State Resistance: 28 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -5.8 А
  • Power Dissipation Pd: 960 мВт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2305CDST1GE3, SI2305CDS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2305CDS-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P-CH, 8 V, 5.8 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России