Datasheet SI4102DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 3.8 А, SO8 — Даташит

Купить SI4102DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 16 217 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Single N-Channel 100V 2.4W 3.8A 0.158Ω Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Maybo Весь мир	SI4102DY-T1-GE3 Vishay	20 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4102DY-T1-GE3 Vishay	39 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI4102DY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	SI4102DY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 3.8 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4102DY
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 100 RDS(on) () 0.158 at VGS = 10 V 0.175 at VGS = 6 V ID (A)d 3.8 3.6 Qg (Typ.) 4.6 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 130 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 3.8 А
• Power Dissipation Pd: 4.8 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4102DYT1GE3, SI4102DY T1 GE3