Datasheet SI4104DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 4.6 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4104DY-T1-GE3
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI4104DY-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 4.6A, 100V, 85mohm, 10V, 2.5V | |||
SI4104DY-T1-GE3 Vishay | 64 ₽ | ||
SI4104DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4104DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4104DY-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 4.6 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4104DY
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 85 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 4.6 А
- Power Dissipation Pd: 5 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4104DYT1GE3, SI4104DY T1 GE3