Datasheet SI4108DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 20.5 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4108DY-T1-GE3
![]() 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET 75V 20.5A 7.8W 9.8mohm @ 10V | |||
SI4108DY-T1-GE3 Vishay | 73 ₽ | ||
SI4108DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4108DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4108DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 20.5 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4108DY
Vishay Siliconix
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On State Resistance: 8.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 20.5 А
- Power Dissipation Pd: 7.8 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4108DYT1GE3, SI4108DY T1 GE3