ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SI4108DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 20.5 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4108DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4108DY-T1-GE3

8 предложений от 5 поставщиков
MOSFET 75V 20.5A 7.8W 9.8mohm @ 10V
AiPCBA
Весь мир
SI4108DY-T1-GE3
Vishay
83 ₽
Akcel
Весь мир
SI4108DY-T1-GE3
Vishay
от 172 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4108DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SI4108DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 20.5 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4108DY
Vishay Siliconix
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On State Resistance: 8.2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 20.5 А
  • Power Dissipation Pd: 7.8 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4108DYT1GE3, SI4108DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4108DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N-CH, 75 V, 20.5 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России