Datasheet SI4110DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 17.3 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4110DY-T1-GE3
9 предложений от 6 поставщиков MOSFET 80V 17.3A 7.8W 1.3mohm @ 10V | |||
| SI4110DY-T1-GE3 Vishay | от 93 ₽ | ||
| SI4110DY-T1-GE3 Vishay | 93 ₽ | ||
| SI4110DY-T1-GE3 Vishay | 93 ₽ | ||
| SI4110DY-T1-GE3 Siliconix | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 17.3 А, SO8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
New Product
Si4110DY
Vishay Siliconix
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On State Resistance: 10.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 17.3 А
- Power Dissipation Pd: 7.8 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4110DYT1GE3, SI4110DY T1 GE3
