Datasheet SI4134DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 14 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4134DY-T1-GE3
![]() 39 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 14 А, 0.0115 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4134DY-T1-GE3 Vishay | 21 ₽ | ||
SI4134DY-T1-GE3 Vishay | 40 ₽ | ||
SI4134DY-T1-GE3 Vishay | от 43 ₽ | ||
SI4134DY-T1-GE3 Vishay | от 51 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 14 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4134DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.014 at VGS = 10 V 0.0175 at VGS = 4.5 V ID (A) 14 12.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 11.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 14 А
- Рассеиваемая мощность: 5 Вт
- Voltage Vgs Max: 20 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Vishay - SI4134DY-T1-GE3
Варианты написания:
SI4134DYT1GE3, SI4134DY T1 GE3