Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SI4134DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 14 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4134DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4134DY-T1-GE3

39 предложений от 18 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 14 А, 0.0115 Ом, SOIC, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
SI4134DY-T1-GE3
Vishay
21 ₽
ЧипСити
Россия
SI4134DY-T1-GE3
Vishay
40 ₽
SI4134DY-T1-GE3
Vishay
от 43 ₽
SI4134DY-T1-GE3
Vishay
от 51 ₽

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 14 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4134DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.014 at VGS = 10 V 0.0175 at VGS = 4.5 V ID (A) 14 12.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 11.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 14 А
  • Рассеиваемая мощность: 5 Вт
  • Voltage Vgs Max: 20 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Vishay - SI4134DY-T1-GE3

Варианты написания:

SI4134DYT1GE3, SI4134DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4134DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N-CH, 30 V, 14 A, SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка