Datasheet SI4162DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 19.3 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4162DY-T1-GE3
Купить SI4162DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 85 ₽ 25 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 19.3 А, 0.0065 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI4162DY-T1-GE3 Vishay | 10 ₽ | ||
SI4162DY-T1-GE3 Vishay | 34 ₽ | ||
SI4162DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4162DY-T1-GE3 IC Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 19.3 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4162DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0079 at VGS = 10 V 0.010 at VGS = 4.5 V ID (A) 19.3a 17.1
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 6.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 13.6 А
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- EREM - 00SA
- MULTICORE (SOLDER) - 698840
- Roth Elektronik - RE932-01
Варианты написания:
SI4162DYT1GE3, SI4162DY T1 GE3