Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SI4162DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 19.3 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4162DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4162DY-T1-GE3

25 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 19.3 А, 0.0065 Ом, SOIC, Surface Mount
SI4162DY-T1-GE3
Vishay
10 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4162DY-T1-GE3
Vishay
34 ₽
SI4162DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Vess Electronics
Весь мир
SI4162DY-T1-GE3 IC
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 19.3 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4162DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0079 at VGS = 10 V 0.010 at VGS = 4.5 V ID (A) 19.3a 17.1

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 6.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 13.6 А
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CHEMTRONICS - CW8400
  • EREM - 00SA
  • MULTICORE (SOLDER) - 698840
  • Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4162DYT1GE3, SI4162DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4162DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 30 V, 19.3 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России