Datasheet SI4162DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 19.3 А, SO8 — Даташит

Наименование модели: SI4162DY-T1-GE3
42 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные  | |||
| SI4162DY-T1-GE3 | от 9.78 ₽ | ||
| SI4162DY-T1-GE3 Vishay  | от 58 ₽ | ||
| SI4162DY-T1-GE3. Vishay  | 109 ₽ | ||
| SI4162DY-T1-GE3 Vishay  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 19.3 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4162DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0079 at VGS = 10 V 0.010 at VGS = 4.5 V ID (A) 19.3a 17.1
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
 - Drain Source Voltage Vds: 30 В
 - On State Resistance: 6.5 МОм
 - Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
 - Voltage Vgs Max: 20 В
 - Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
 - Корпус транзистора: SOIC
 - Количество выводов: 8
 - Current Id Max: 13.6 А
 - Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
 
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
 - EREM - 00SA
 - MULTICORE (SOLDER) - 698840
 - Roth Elektronik - RE932-01
 
Варианты написания:
SI4162DYT1GE3, SI4162DY T1 GE3






