Datasheet SI4425DDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 30 В, 19.7 А, SO8 — Даташит

Наименование модели: SI4425DDY-T1-GE3
45 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные  | |||
| SI4425DDY-T1-GE3 Vishay  | от 65 ₽ | ||
| SI4425DDY-T1-GE3 Vishay  | от 65 ₽ | ||
| SI4425DDY-T1-GE3 Vishay  | от 66 ₽ | ||
| SI4425DDY-T1-GE3 Vishay  | от 72 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 30 В, 19.7 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4425DDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.0098 at VGS = 10 V 0.0165 at VGS = 4.5 V ID (A)a - 19.7 27 nC - 15.2 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
 - Drain Source Voltage Vds: -30 В
 - On State Resistance: 8.1 МОм
 - Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
 - Voltage Vgs Max: 20 В
 - Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
 - Корпус транзистора: SOIC
 - Количество выводов: 8
 - Current Id Max: -19.7 А
 - Power Dissipation Pd: 5.7 Вт
 
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4425DDYT1GE3, SI4425DDY T1 GE3






