Datasheet SI4425DDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 30 В, 19.7 А, SO8 — Даташит

Купить SI4425DDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.31 до 576 ₽ 40 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 19.7 А, 0.0081 Ом, SOIC, Surface Mount
AllElco Electronics Весь мир	SI4425DDY-T1-GE3	от 9.31 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4425DDY-T1-GE3 Vishay	28 ₽	Купить
Эиком Россия	SI4425DDY-T1-GE3 Vishay	от 71 ₽	Купить
Контест Россия	SI4425DDY-T1-GE3 Vishay	112 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 30 В, 19.7 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4425DDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.0098 at VGS = 10 V 0.0165 at VGS = 4.5 V ID (A)a - 19.7 27 nC - 15.2 Qg (Typ.)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On State Resistance: 8.1 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: -19.7 А
• Power Dissipation Pd: 5.7 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4425DDYT1GE3, SI4425DDY T1 GE3