Datasheet SI4532CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP-CH, 30 В, SO8 — Даташит

Купить SI4532CDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 7.09 до 689 ₽ 31 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,9/-3,4А; SO8
Lixinc Electronics Весь мир	SI4532CDY-T1-GE3 Vishay	от 25 ₽	Купить
Эиком Россия	SI4532CDY-T1-GE3 Vishay	от 50 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI4532CDY-T1-GE3 Vishay	от 689 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI4532CDY-T1-GE3 Siliconix	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP-CH, 30 В, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4532CDY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 30 RDS(on) () 0.047 at VGS = 10 V 0.065 at VGS = 4.5 V 0.089 at VGS = - 10 V 0.140 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 6.0 5.2 - 4.3 - 3.4 Qg (Typ.) 2.75

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 38 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 6 А
• Power Dissipation Pd: 2.78 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4532CDYT1GE3, SI4532CDY T1 GE3