Datasheet SI4599DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP-CH, 40 В, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4599DY-T1-GE3
![]() 33 предложений от 14 поставщиков VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual MOSFET, N and P Channel, 6.8 A, 40 V, 0.0295 ohm, 10 V, 1.4 V | |||
SI4599DY-T1-GE3 | от 9.40 ₽ | ||
SI4599DY-T1-GE3 Vishay | 29 ₽ | ||
SI4599DY-T1-GE3 Vishay | 40 ₽ | ||
SI4599DY-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NP-CH, 40 В, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4599DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 29.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 6.8 А
- Power Dissipation Pd: 3 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4599DYT1GE3, SI4599DY T1 GE3