Datasheet SI4628DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор DI, N CH, 30 В, 38 А, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4628DY-T1-GE3
![]() 13 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8Pin SOIC N T/R | |||
SI4628DY-T1-GE3 Vishay | 43 ₽ | ||
SI4628DY-T1-GE3 Vishay | 76 ₽ | ||
SI4628DY-T1-GE3 MOS | по запросу | ||
SI4628DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор DI, N CH, 30 В, 38 А, 8SOIC
Краткое содержание документа:
Si4628DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0030 at VGS = 10 V 0.0038 at VGS = 4.5 V ID (A)a 38 33 Qg (Typ.) 27.5 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 2.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 38 А
- Power Dissipation Pd: 7.8 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4628DYT1GE3, SI4628DY T1 GE3