Datasheet SI7149DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 50 А, PPAK SO8 — Даташит
Наименование модели: SI7149DP-T1-GE3
![]() 32 предложений от 16 поставщиков VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V | |||
SI7149DP-T1-GE3 | от 18 ₽ | ||
SI7149DP-T1-GE3 Vishay | 28 ₽ | ||
SI7149DP-T1-GE3, Транзистор P-канал, -50 А, -30 В, 5.2 мОм [PowerPAK SO8] | по запросу | ||
SI7149DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 50 А, PPAK SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si7149DP
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On State Resistance: 4.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -50 А
- Power Dissipation Pd: 69 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7149DPT1GE3, SI7149DP T1 GE3