Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SI7190DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 250 В, 18.4 А, PPAK SO8 — Даташит

Vishay SI7190DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7190DP-T1-GE3

17 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, VISHAY SI7190DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 18.4A, 250V, 98mohm, 10V, 2V
AllElco Electronics
Весь мир
SI7190DP-T1-GE3
от 24 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI7190DP-T1-GE3
Vishay
66 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI7190DP-T1-GE3
Vishay
от 76 ₽
SI7190DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 250 В, 18.4 А, PPAK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si7190DP
Vishay Siliconix
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 250 В
  • On State Resistance: 98 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 18.4 А
  • Power Dissipation Pd: 96 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7190DPT1GE3, SI7190DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7190DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 250 V, 18.4 A, PPAK SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка