Datasheet SI7190DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 250 В, 18.4 А, PPAK SO8 — Даташит
Наименование модели: SI7190DP-T1-GE3
![]() 17 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7190DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 18.4A, 250V, 98mohm, 10V, 2V | |||
SI7190DP-T1-GE3 | от 24 ₽ | ||
SI7190DP-T1-GE3 Vishay | 66 ₽ | ||
SI7190DP-T1-GE3 Vishay | от 76 ₽ | ||
SI7190DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 250 В, 18.4 А, PPAK SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si7190DP
Vishay Siliconix
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 250 В
- On State Resistance: 98 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 18.4 А
- Power Dissipation Pd: 96 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7190DPT1GE3, SI7190DP T1 GE3