Datasheet SI7190DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 250 В, 18.4 А, PPAK SO8 — Даташит

Купить SI7190DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 62 до 248 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков N-Channel 250 V 18.4A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Стандарт СИЗ Россия	SI7190DP-T1-GE3 Vishay	62 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI7190DP-T1-GE3 Vishay	135 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI7190DP-T1-GE3 Vishay	152 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SI7190DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 250 В, 18.4 А, PPAK SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si7190DP
Vishay Siliconix
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 250 В
• On State Resistance: 98 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 18.4 А
• Power Dissipation Pd: 96 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7190DPT1GE3, SI7190DP T1 GE3