Datasheet SI7404DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POWERPAK — Даташит
Наименование модели: SI7404DN-T1-GE3
Купить SI7404DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 77 до 369 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | |||
SI7404DN-T1-GE3 Vishay | 77 ₽ | ||
SI7404DN-T1-GE3 Vishay | 79 ₽ | ||
SI7404DN-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7404DN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, POWERPAK
Краткое содержание документа:
Si7404DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.013 at VGS = 10 V 30 0.015 at VGS = 4.5 V 0.022 at VGS = 2.5 V ID (A) 13.3 12.4 10.2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 13 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1.5 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 8.5 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: SI7404DN
- External Depth: 3.3 мм
- Внешняя длина / высота: 1.07 мм
- Внешняя ширина: 3.3 мм
- Fall Time tf: 33 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.9 °C/Вт
- N-channel Gate Charge: 20nC
- On State Resistance Max: 13 МОм
- Тип корпуса: 8-PowerPAK 1212
- Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
- Pulse Current Idm: 40 А
- Rise Time: 39 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Время выключения: 64 нс
- Время включения: 27 нс
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 0.6 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE932-01
Варианты написания:
SI7404DNT1GE3, SI7404DN T1 GE3