Datasheet SI7415DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, POWERPAK — Даташит

Купить SI7415DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 406 ₽ 29 предложений от 12 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,6А; Idm: -30А; 0,8Вт
AllElco Electronics Весь мир	SI7415DN-T1-GE3	от 19 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SI7415DN-T1-GE3 Vishay	от 60 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI7415DN-T1-GE3 Vishay	110 ₽	Купить
Эиком Россия	SI7415DN-T1-GE3 Vishay	от 137 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P, POWERPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7415DN
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 60 RDS(on) () 0.065 at VGS = - 10 V 0.110 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 5.7 - 4.4

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 54 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -3 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 3.6 А
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: SI7415DN
• External Depth: 5.15 мм
• Внешняя длина / высота: 1.07 мм
• Внешняя ширина: 6.15 мм
• Fall Time tf: 16 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.9 °C/Вт
• On State Resistance Max: 65 МОм
• P Channel Gate Charge: 15nC
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
• Pulse Current Idm: 30 А
• Rise Time: 12 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
• Время выключения: 22 нс
• Время включения: 12 нс
• Voltage Vds Typ: -60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI7415DNT1GE3, SI7415DN T1 GE3