Datasheet SI7415DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P, POWERPAK — Даташит
Наименование модели: SI7415DN-T1-GE3
Купить SI7415DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 186 ₽ 20 предложений от 9 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,6А; Idm: -30А; 0,8Вт | |||
SI7415DN-T1-GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
SI7415DN-T1-GE3 Vishay | от 55 ₽ | ||
SI7415DN-T1-GE3 Vishay | от 150 ₽ | ||
SI7415DN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P, POWERPAK
Краткое содержание документа:
Si7415DN
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 60 RDS(on) () 0.065 at VGS = - 10 V 0.110 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 5.7 - 4.4
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 54 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -3 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 3.6 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: SI7415DN
- External Depth: 5.15 мм
- Внешняя длина / высота: 1.07 мм
- Внешняя ширина: 6.15 мм
- Fall Time tf: 16 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.9 °C/Вт
- On State Resistance Max: 65 МОм
- P Channel Gate Charge: 15nC
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- Rise Time: 12 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Время выключения: 22 нс
- Время включения: 12 нс
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: -1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE932-01
Варианты написания:
SI7415DNT1GE3, SI7415DN T1 GE3