Datasheet SI7456DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 5.7 А, PPAK SO8 — Даташит

Купить SI7456DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 745 ₽ 28 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 5.7 А, 0.021 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
ЧипСити Россия	SI7456DP-T1-GE3 Vishay	64 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI7456DP-T1-GE3 Vishay	67 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	SI7456DP-T1-GE3 Vishay	от 285 ₽	Купить
МосЧип Россия	SI7456DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 5.7 А, PPAK SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7456DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 100 RDS(on) () 0.025 at VGS = 10 V 0.028 at VGS = 6.0 V ID (A) 9.3 8.8

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 21 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 5.7 А
• Power Dissipation Pd: 1.9 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7456DPT1GE3, SI7456DP T1 GE3