Datasheet SI7456DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 5.7 А, PPAK SO8 — Даташит
Наименование модели: SI7456DP-T1-GE3
Купить SI7456DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 745 ₽ 28 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 5.7 А, 0.021 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount | |||
SI7456DP-T1-GE3 Vishay | 64 ₽ | ||
SI7456DP-T1-GE3 Vishay | 67 ₽ | ||
SI7456DP-T1-GE3 Vishay | от 285 ₽ | ||
SI7456DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 5.7 А, PPAK SO8
Краткое содержание документа:
Si7456DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 100 RDS(on) () 0.025 at VGS = 10 V 0.028 at VGS = 6.0 V ID (A) 9.3 8.8
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 21 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 5.7 А
- Power Dissipation Pd: 1.9 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI7456DPT1GE3, SI7456DP T1 GE3