Datasheet SI7898DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POWERPAK — Даташит

Купить SI7898DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 239 ₽ 36 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 3 А, 0.068 Ом, SOIC, Surface Mount
ЧипСити Россия	SI7898DP-T1-GE3 Vishay	100 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SI7898DP-T1-GE3 Vishay	169 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI7898DP-T1-GE3 Vishay	от 172 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI7898DP-T1-GE3 Vishay	от 192 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, POWERPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7898DP
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 150 RDS(on) () 0.085 at VGS = 10 V 0.095 at VGS = 6.0 V ID (A) 4.8 4.5

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 85 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 3 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.15 мм
• Внешняя длина / высота: 1.07 мм
• Внешняя ширина: 6.15 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.1 °C/Вт
• N-channel Gate Charge: 17nC
• On State Resistance Max: 85 МОм
• Тип корпуса: PowerPAK SO
• Power Dissipation Pd: 1.9 Вт
• Pulse Current Idm: 2.4 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI7898DPT1GE3, SI7898DP T1 GE3