Datasheet SI9433BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.5 А, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: SI9433BDY-T1-GE3
![]() 35 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 4.5 А, 0.03 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
SI9433BDY-T1-GE3 | от 9.83 ₽ | ||
SI9433BDY-T1-GE3 Vishay | 34 ₽ | ||
SI9433BDY-T1-GE3 Vishay | от 90 ₽ | ||
SI9433BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.5 А, 8SOIC
Краткое содержание документа:
Si9433BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.040 at VGS = - 4.5 V 0.060 at VGS = - 2.7 V ID (A) - 6.2 - 5.0
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On State Resistance: 30 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -4.5 А
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI9433BDYT1GE3, SI9433BDY T1 GE3