Datasheet SIR164DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 50 А, PPAK SO8 — Даташит
Наименование модели: SIR164DP-T1-GE3
![]() 28 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SIR164DP-T1-GE3 | от 16 ₽ | ||
SIR164DP-T1-GE3 Vishay | от 56 ₽ | ||
SIR164DP-T1-GE3 Vishay | от 150 ₽ | ||
SIR164DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 50 А, PPAK SO8
Краткое содержание документа:
New Product
SiR164DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 2.05 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 50 А
- Power Dissipation Pd: 69 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR164DPT1GE3, SIR164DP T1 GE3