Datasheet SSM3J02T(TE85L,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор P CH 1.5 А 30 В SOT23 — Даташит
Наименование модели: SSM3J02T(TE85L,F)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type | |||
SSM3J02T-TE85L,F Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор P CH 1.5 А 30 В SOT23
Краткое содержание документа:
SSM3J02T
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM3J02T
Power Management Switch High Speed Switching Applications
· · · · Component package suitable for high-density mounting Small Package Low ON Resistance : Ron = 0.5 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 0.7 (max) (@VGS = -2.5 V) Low-voltage operation possible Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 500 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: -1.5 А
- Тип корпуса: TSM
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: -10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SSM3J02T(TE85LF), SSM3J02T(TE85L F)