Datasheet SSM3J15TE(TE85L,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор P CH 0.1 А 30 В SOT23 — Даташит
Наименование модели: SSM3J15TE(TE85L,F)
![]() 7 предложений от 4 поставщиков Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications | |||
SSM3J15TE(TE85L,F) Toshiba | от 14 ₽ | ||
SSM3J15TE(TE85L,F) Toshiba | 46 ₽ | ||
SSM3J15TE(TE85L) | по запросу | ||
SSM3J15TE(TE85L)SOT52 Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор P CH 0.1 А 30 В SOT23
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 100 мА
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 12 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Рассеиваемая мощность: 100 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: -100 мА
- Тип корпуса: TESM
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SSM3J15TE(TE85LF), SSM3J15TE(TE85L F)