Datasheet SSM3K03FE(TPL3,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 0.1 А, 20 В, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SSM3K03FE(TPL3,F)
8 предложений от 8 поставщиков High Speed Switching Applications | |||
SSM3K03FE(TPL3,F) Toshiba | 111 ₽ | ||
SSM3K03FE/DA Toshiba | по запросу | ||
SSM3K03FE Toshiba | по запросу | ||
SSM3K03FE Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 0.1 А, 20 В, SOT23
Краткое содержание документа:
SSM3K03FE
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K03FE
High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
· · · · 2.5 V gate drive High input impedance Low gate threshold voltage: Vth = 0.7~1.3 V Small package Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 100 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 12 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.3 В
- Рассеиваемая мощность: 100 мВт
- Корпус транзистора: ESM
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 100 мА
- Тип корпуса: ESM
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SSM3K03FE(TPL3F), SSM3K03FE(TPL3 F)