Datasheet SSM3K16FU(TE85L,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 0.1 А, 20 В, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SSM3K16FU(TE85L,F)
![]() 24 предложений от 10 поставщиков MOSFET N CH 0.1A 20V SOT23; Transistor Type: Small Signal MOSFET; Transistor Polarity: N; Typ Voltage Vds: 20V; Curre... | |||
SSM3K16FU(TE85L,F) Toshiba | 14 ₽ | ||
SSM3K16FU(TE85L,F) Toshiba | от 17 ₽ | ||
SSM3K16FU(TE85L,F) Toshiba | от 19 ₽ | ||
SSM3K16FU(TE85L,F) Toshiba | 78 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 0.1 А, 20 В, SOT23
Краткое содержание документа:
SSM3K16FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM3K16FU
High Speed Switching Applications Analog Switching Applications
· · Suitable for high-density mounting due to compact package Low on resistance: Ron = 3.0 (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 15 (max) (@VGS = 1.5 V) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 100 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1 В
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- Корпус транзистора: SC-70
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 100 мА
- Тип корпуса: USM
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SSM3K16FU(TE85LF), SSM3K16FU(TE85L F)