Datasheet SSM6K06FU(TE85L,F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 1.1 А, 20 В, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SSM6K06FU(TE85L,F)
![]() 5 предложений от 3 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SSM6K06FU(TE85L,F) Toshiba | от 66 ₽ | ||
SSM6K06FU(TE85L,F) Toshiba | 113 ₽ | ||
SSM6K06FU(TE85L) Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 1.1 А, 20 В, SOT23
Краткое содержание документа:
SSM6K06FU
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
SSM6K06FU
High Speed Switching Applications
· · · Small package Low ON- resistance: RDS(ON) = 160 m max (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 210 m max (@VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 160 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.1 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Корпус транзистора: US6
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 1.1 А
- Тип корпуса: US6
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SSM6K06FU(TE85LF), SSM6K06FU(TE85L F)