Datasheet TK18A50D(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 18 А, SC-67 — Даташит
Наименование модели: TK18A50D(Q,M)
![]() 34 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3Pin(3+Tab) TO-220SIS | |||
TK18A50D(STA4,X,M) | от 222 ₽ | ||
TK18A50D Toshiba | по запросу | ||
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba | по запросу | ||
TK18A50D Toshiba 10000 Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 18 А, SC-67
Краткое содержание документа:
TK18A50D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK18A50D
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 230 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: SC-67
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 18 А
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 220SA
- AAVID THERMALLOY - BW50-2G
- ABL HEATSINKS - 205AB0500B
- GC ELECTRONICS - 10-8108
Варианты написания:
TK18A50D(QM), TK18A50D(Q M)