Datasheet TK20A60T(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 20 А 600 В TO220 — Даташит
Наименование модели: TK20A60T(Q)
![]() Высоковольтное MOS, TO-220NIS N-CH 600V 20A | |||
TK20A60T(Q) Toshiba | 1 031 ₽ | ||
TK20A60T(Q) Toshiba | 1 860 ₽ | ||
TK20A60T Toshiba | по запросу | ||
TK20A60T | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор N CH 20 А 600 В TO220
Краткое содержание документа:
Toshiba HV Mosfets
Key product families:
DTMOS : Super Junction style MOSFET -> lower RDS(on) & Qg -MOS VII : Standard MOSFET -> with low Qg and capacitance
New naming system:
Partnumber TK: Nch-MOS TJ: Pch-MOS
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 190 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-220SIS
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 20 А
- Тип корпуса: TO-220SIS
- Power Dissipation Pd: 45 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть