Datasheet TK40J60T(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 600 В, TO-3P — Даташит

Toshiba TK40J60T(Q)

Наименование модели: TK40J60T(Q)

Купить TK40J60T(Q) на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS)
Кремний Россия и страны СНГ	TK40J60T(Q)	по запросу
МосЧип Россия	TK40J60T(Q) Toshiba	по запросу
Augswan Весь мир	TK40J60T Toshiba	по запросу
TradeElectronics Россия	TK40J60T Toshiba	по запросу

Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 600 В, TO-3P

Скачать Data Sheet

Каталог производителя

Краткое содержание документа:
Toshiba HV Mosfets
Key product families:
DTMOS : Super Junction style MOSFET -> lower RDS(on) & Qg -MOS VII : Standard MOSFET -> with low Qg and capacitance
New naming system:
Partnumber TK: Nch-MOS TJ: Pch-MOS

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 40 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 80 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 30 В
Корпус транзистора: TO-3P
Количество выводов: 3
Current Id Max: 40 А
Тип корпуса: TO-3P
Power Dissipation Pd: 400 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть