Datasheet TK4A50D(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 4 А, SC-67 — Даташит
Наименование модели: TK4A50D(Q)
![]() 24 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2Ω | |||
TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba | 66 ₽ | ||
TK4A50D(STA4,Q,M) | от 1 673 ₽ | ||
TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba | по запросу | ||
TK4A50D (ST-STP5N52K3) STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 4 А, SC-67
Краткое содержание документа:
TK4A50D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK4A50D
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.7(typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 1.7 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: SC-67
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 4 А
- Power Dissipation Pd: 30 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 220SA
- AAVID THERMALLOY - BW50-2G
- ABL HEATSINKS - 205AB0500B
- GC ELECTRONICS - 10-8108