Datasheet TK4A60DA(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, SC-67 — Даташит
Наименование модели: TK4A60DA(Q,M)
![]() 24 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 3,5А, 35Вт, SC67 | |||
TK4A60DA Toshiba | 16 ₽ | ||
TK4A60DA(STA4QM) Toshiba | 19 ₽ | ||
TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba | по запросу | ||
TK4A60DA Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, SC-67
Краткое содержание документа:
TK4A60DA
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK4A60DA
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 1.7 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: SC-67
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3.5 А
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 220SA
- AAVID THERMALLOY - BW50-2G
- ABL HEATSINKS - 205AB0500B
- GC ELECTRONICS - 10-8108
Варианты написания:
TK4A60DA(QM), TK4A60DA(Q M)