На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet TK4A60DB(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.7 А, SC-67 — Даташит

Toshiba TK4A60DB(Q)

Наименование модели: TK4A60DB(Q)

7 предложений от 7 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
ChipWorker
Весь мир
TK4A60DB
Toshiba
22 ₽
AiPCBA
Весь мир
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Toshiba
74 ₽
Acme Chip
Весь мир
TK4A60DB
Toshiba
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
TK4A60DB
Toshiba
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.7 А, SC-67

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK4A60DB
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK4A60DB
Switching Regulator Applications
3.2 ± 0.2 10 ± 0.3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 1.6 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: SC-67
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 3.7 А
  • Power Dissipation Pd: 35 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • AAVID THERMALLOY - 220SA
  • AAVID THERMALLOY - BW50-2G
  • ABL HEATSINKS - 205AB0500B
  • GC ELECTRONICS - 10-8108

На английском языке: Datasheet TK4A60DB(Q) - Toshiba MOSFET, N CH, 600 V, 3.7 A, SC-67

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России