Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet TK60A08J1(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 60 А 75 В TO220 — Даташит

Toshiba TK60A08J1(Q)

Наименование модели: TK60A08J1(Q)

5 предложений от 5 поставщиков
Switching Regulator Application
Триема
Россия
TK60A08J1-VB
142 ₽
AiPCBA
Весь мир
TK60A08J1(Q)
Toshiba
792 ₽
Augswan
Весь мир
TK60A08J1
Toshiba
по запросу
TK60A08J1
Toshiba
по запросу

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор N CH 60 А 75 В TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Каталог производителяКаталог производителя

Краткое содержание документа:
Toshiba HV Mosfets
Key product families:
DTMOS : Super Junction style MOSFET -> lower RDS(on) & Qg -MOS VII : Standard MOSFET -> with low Qg and capacitance
New naming system:
Partnumber TK: Nch-MOS TJ: Pch-MOS

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On State Resistance: 7.8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Корпус транзистора: TO-220SIS
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 60 А
  • Тип корпуса: TO-220SIS
  • Power Dissipation Pd: 45 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 75 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet TK60A08J1(Q) - Toshiba MOSFET N CH 60 A 75 V TO220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка