Datasheet TK60D08J1(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 60 А, SC-67 — Даташит

Toshiba TK60D08J1(Q)

Наименование модели: TK60D08J1(Q)

Купить TK60D08J1(Q) на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 7 поставщиков МОП-транзистор МОП-транзистор N-Ch
AiPCBA Весь мир	TK60D08J1(Q) Toshiba	2 437 ₽
ChipWorker Весь мир	TK60D08J1(Q) Toshiba	2 437 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	TK60D08J1(Q)	по запросу
Океан Электроники Россия	TK60D08J1 Toshiba	по запросу

Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 60 А, SC-67

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK60D08J1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS)
TK60D08J1
Switching Regulator Application
· · · · · · High-Speed switching Small gate charge: Qg = 86 nC (typ.) Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 6.2 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) Enhancement-mode: Vth = 1.1 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 75 В
On State Resistance: 6.2 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Корпус транзистора: SC-67
Количество выводов: 3
Current Id Max: 60 А
Power Dissipation Pd: 140 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

AAVID THERMALLOY - 220SA
AAVID THERMALLOY - BW50-2G
ABL HEATSINKS - 205AB0500B
GC ELECTRONICS - 10-8108