Datasheet TK6A60D(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 6 А, SC-67 — Даташит

Купить TK6A60D(Q,M) на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 9 942 ₽ 32 предложений от 18 поставщиков MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS / Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
ICdarom.ru Россия	TK6A60D (STA4,Q,M) Toshiba	от 56 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	TK6A60D(STA4,Q,M)	от 76 ₽	Купить
Триема Россия	TK6A60D (STA4,Q,M) Toshiba	81 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	TK6A60D.S5Q(J	9 942 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 6 А, SC-67

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK6A60D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK6A60D
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Корпус транзистора: SC-67
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 6 А
• Power Dissipation Pd: 40 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• AAVID THERMALLOY - 220SA
• AAVID THERMALLOY - BW50-2G
• ABL HEATSINKS - 205AB0500B
• GC ELECTRONICS - 10-8108

Варианты написания:

TK6A60D(QM), TK6A60D(Q M)